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中國EUV光刻研究獲重大突破 前ASML科學家建功

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荷蘭光刻機巨頭阿斯麥(ASML)是目前唯一能生產EUV(極紫外光)光刻機的制造商,但被美國禁止向中國出售EUV光刻機,導致中國公司難以自行生產高端芯片。


不過內媒觀察者網等報道,中科院上海光學精密機械研究所由前ASML科學家林楠率領的團隊,近月成功開發出LPP-EUV光源,已達國際領先水平,對內地自主研發EUV光刻機具重大意義。

林楠團隊的研究成果近月發表於《中國激光》期刊。 公開信息顯示,EUV光刻機中最核心的分系統是激光等離子體(LPP)EUV光源,主要關注能量轉換效率(CE)。 二氧化碳激光器激發的Sn等離子體CE大於5%,是ASML光刻機的驅動光源,但此前這類光源由美國Cymer制造,在世界范圍內處於壟斷地位。


因此,林楠團隊考慮使用固體脈沖激光器代替二氧化碳激光作為驅動光源,但能量效率需要進一步提升。 目前林楠團隊1um固體激光的CE最高可達到3.42%,超過了荷蘭和瑞士研究團隊的水平,雖然沒有超過4%,但已經達到了商用光源5.5%轉化效率的一半。

林楠團隊研究人員估計,光源實驗平台的理論最大轉換效率可能接近6%,團隊正計劃增加進一步的研究,未來有望進一步實現國產EUV光刻技術。




林楠。 (中國科學院官網)

資料顯示,林楠是中科院上海光學精密機械研究所研究員,曾任ASML公司研發科學家、研發部光源技術負責人,曾主導ASML EUV光源研發的核心計劃,2021歸國。


不過,在4月的一次投資者電話會議上,ASML首席財務官戴厚傑(Roger Dassen)表示,中國進行的光刻機替代相關技術進展已有耳聞,中國確實有可能制造出EUV光源,但他相信,中國依然需要很多年才能造出一台先進EUV光刻設備。




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