韓國: 韓國半導體人才和技術快被中國挖空

2025-06-06 | 來源: 自由時報 | 轉到微信 | 有0人參與評論 | 字體: 放大縮小 | 收藏 | 打印

韓國存儲器產業正遭遇來自中國的嚴峻挑戰，今年第一季長江存儲占全球閃存市占來到8.1%，嚇壞韓國。韓媒披露，中企技術之所以進步神速仰賴挖角和偷技術，不僅挖角三星和SK海力士的人才，還竊取HBM（高帶寬內存）等先進技術，甚至繞過美國制裁，不惜開出比行情價高出1.7至2倍的價格，從韓國狂掃設備。

韓國媒體《Hankyung》報道，中國存儲器公司曾竊取三星和SK海力士的技術，如今僅剩一年時間就可能威脅韓企的地位，韓國正面臨“紅色內存入侵”挑戰。

根據統計，中國長江存儲今年第一季占全球閃存市場比重來到8.1%，這是中國半導體公司市占率首次得到官方確認。業內人士預測，照此速度發展，長江存儲將在一兩年內與SK海力士和美光等廠商並駕齊驅。

同時，在DRAM市場部分，中國長鑫存儲的市占率已達4%，這意味著長期以來該產業三足鼎立的局面可能被打破。根據市場研究公司TrendForce的數據，2025年第一季度，長江存儲在全球NAND市場排名第六，市占率8.1%，第一名至第五名依序為：三星電子（31.9%）、SK海力士（16.6%）、美光（15.4%）、鎧俠（14.6%）和Sanisk（12.9%）。

在DRAM領域，長鑫存儲以4.1%的市占率位居第四，前三名依序為SK海力士（36%）、三星電子（33.7%）和美光（24.3%）。

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業內人士5日透露，韓半導體產業在收到TrendForce第一季市占率報告後，大吃一驚。專家警告，中國“紅色內存”的入侵才剛開始，這些公司背靠強勁的中國國內需求，如今擁有頂尖技術。

報道稱，長江存儲已開發出約300層的NAND產品，與三星相當。長鑫存儲目前正在開發第四代高帶寬內存（HBM3）。市場預計今年下半年，長江存儲將躋身全球NAND市場前三，長鑫存儲也將與三星、SK海力士和美光公司，成為全球四大DRAM廠商之一。首爾國立大學教授黃哲成（音譯）直指，10年內，全球DRAM領導地位可能從韓國轉移到中國。

報道還踢爆，美國制裁促使中國存儲器企業以70%的加價購買韓國設備，目前韓國半導體設備商正忙於應對來自長鑫存儲和長江存儲等中國公司的爆量訂單，這些公司正在囤積制造LPDDR5和HBM等先進產品所必需的設備。

為了快速獲得設備，這些中國公司經常提出緊急訂單，開價比原價高出1.7到2倍。一家韓國半導體設備公司的代表說，中國存儲器公司正在加大對開發HBM3等下一代半導體所需的最先進設備的訂單。

報道提及，長鑫存儲和長江存儲對韓國設備的興趣並非空穴來風。全球超過90%的半導體設備市場由應用材料公司和科林研發等美商，或東京威力科創等日商掌控。韓國產品受美國監管較少，因此成為中企透過第三國采購的替代方案。

報道指出，中國企業技術快速進步歸功於挖角人才和獲得技術，中企試圖竊取HBM等先進技術，或從三星和SK海力士挖角人才的案例屢見不鮮，類似的狀況在韓國以外的國家也時常發生。荷蘭國防部長Kajsa Ollongren最近告訴路透，中國正在增強其半導體技術間諜活動，業界懷疑中國試圖竊取ASML的EUV技術。