三星: 三星电子前高管向中企泄露技术重审判囚6年4个月

2026-04-23 | 来源: RFI 华语 | 转到微信 | 有0人参与评论 | 字体: 放大缩小 | 收藏 | 打印

周四，首尔高等法院在针对因涉嫌违反韩国《工业技术泄露预防和保护法》（《工业技术保护法》）等罪名被起诉的三星电子前经理金某的撤销发回重审中，判处其有期徒刑6年零4个月，并处罚金2亿韩元（约合13.53万美元）。首尔高等法院周四作出的判决比下级法院此前的量刑更为严厉，并在判决书中指出，“侵犯专有和核心国家技术是严重的犯罪行为”。

中国领先的芯片制造商长鑫存储（CXMT）正试图打入全球人工智能内存市场。该市场目前由三星电子、其本土竞争对手SK海力士以及美光科技主导。这三家公司与英伟达密切合作，共同打造全球最先进的人工智能加速器。长鑫存储被认为是中国最有希望挑战韩美两国公司的企业，但在周四的裁决后，该公司再次受到密切关注。长鑫存储尚未对此置评。

此前，韩国大法院在2月份作出了一项裁决，大幅扩大了工业间谍案件中的刑事责任范围，以帮助保持韩国在半导体领域的竞争力。半导体在人工智能时代被广泛视为战略物资。

近年来，韩国发生多起半导体行业知识产权盗窃案件，此案便是其中之一，这些案件将人们的目光聚焦于半导体行业的知识产权盗窃问题。2023年，韩国检方指控另一位三星前高管窃取蓝图和设计，试图在中国复制一家完整的半导体工厂。该被告否认了相关指控。

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周四案件的焦点是三星电子前经理金某以及该集团几家供应商的员工。他们被指控窃取三星电子及其供应商的专有18纳米动态随机存取存储器（DRAM）工艺数据和设备设计。

要制造高带宽内存（HBM），芯片制造商首先需要具备制造先进DRAM的能力，并将这些DRAM堆叠起来构建人工智能内存。

检方此前在重审中寻求判处金某20年监禁，理由是窃取的数据对推动中国芯片发展至关重要。这场法律战可谓几经波折：金某最初于2025年2月被判处7年监禁并处罚金2亿韩元。上诉后刑期减至6年，之后韩国大法院介入并下令重审。

据悉，金某和检方仍可就此判决提起上诉。检方认定金某在跳槽到长鑫存储期间泄露了半导体沉积相关数据和七项关键工艺的技术数据，并收受了数百亿韩元的财物。