韩国半导体人才和技术快被中国挖空

_NEWSDATE: 2025-06-06 | News by: 自由时报 | 有0人参与评论 | 专栏: 韩国 | _FONTSIZE: _FONT_SMALL _FONT_MEDIUM _FONT_LARGE
韩国存储器产业正遭遇来自中国的严峻挑战，今年第一季长江存储占全球闪存市占来到8.1%，吓坏韩国。韩媒披露，中企技术之所以进步神速仰赖挖角和偷技术，不仅挖角三星和SK海力士的人才，还窃取HBM（高带宽内存）等先进技术，甚至绕过美国制裁，不惜开出比行情价高出1.7至2倍的价格，从韩国狂扫设备。

韩国媒体《Hankyung》报道，中国存储器公司曾窃取三星和SK海力士的技术，如今仅剩一年时间就可能威胁韩企的地位，韩国正面临“红色内存入侵”挑战。

根据统计，中国长江存储今年第一季占全球闪存市场比重来到8.1%，这是中国半导体公司市占率首次得到官方确认。业内人士预测，照此速度发展，长江存储将在一两年内与SK海力士和美光等厂商并驾齐驱。

同时，在DRAM市场部分，中国长鑫存储的市占率已达4%，这意味着长期以来该产业三足鼎立的局面可能被打破。根据市场研究公司TrendForce的数据，2025年第一季度，长江存储在全球NAND市场排名第六，市占率8.1%，第一名至第五名依序为：三星电子（31.9%）、SK海力士（16.6%）、美光（15.4%）、铠侠（14.6%）和Sanisk（12.9%）。

在DRAM领域，长鑫存储以4.1%的市占率位居第四，前三名依序为SK海力士（36%）、三星电子（33.7%）和美光（24.3%）。

业内人士5日透露，韩半导体产业在收到TrendForce第一季市占率报告后，大吃一惊。专家警告，中国“红色内存”的入侵才刚开始，这些公司背靠强劲的中国国内需求，如今拥有顶尖技术。

报道称，长江存储已开发出约300层的NAND产品，与三星相当。长鑫存储目前正在开发第四代高带宽内存（HBM3）。市场预计今年下半年，长江存储将跻身全球NAND市场前三，长鑫存储也将与三星、SK海力士和美光公司，成为全球四大DRAM厂商之一。首尔国立大学教授黄哲成（音译）直指，10年内，全球DRAM领导地位可能从韩国转移到中国。

报道还踢爆，美国制裁促使中国存储器企业以70%的加价购买韩国设备，目前韩国半导体设备商正忙于应对来自长鑫存储和长江存储等中国公司的爆量订单，这些公司正在囤积制造LPDDR5和HBM等先进产品所必需的设备。

为了快速获得设备，这些中国公司经常提出紧急订单，开价比原价高出1.7到2倍。一家韩国半导体设备公司的代表说，中国存储器公司正在加大对开发HBM3等下一代半导体所需的最先进设备的订单。

报道提及，长鑫存储和长江存储对韩国设备的兴趣并非空穴来风。全球超过90%的半导体设备市场由应用材料公司和科林研发等美商，或东京威力科创等日商掌控。韩国产品受美国监管较少，因此成为中企透过第三国采购的替代方案。

报道指出，中国企业技术快速进步归功于挖角人才和获得技术，中企试图窃取HBM等先进技术，或从三星和SK海力士挖角人才的案例屡见不鲜，类似的状况在韩国以外的国家也时常发生。荷兰国防部长Kajsa Ollongren最近告诉路透，中国正在增强其半导体技术间谍活动，业界怀疑中国试图窃取ASML的EUV技术。
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